GMC04CG120G25NT是一款高性能的碳化硅(SiC)MOSFET功率模块,广泛应用于工业电源、新能源汽车、风力发电和太阳能逆变器等领域。该模块采用了先进的封装技术,具有低导通电阻、高开关频率和优良的热性能,适合在高效率和高功率密度的应用场景中使用。
这款功率模块由多个并联的SiC MOSFET单元组成,通过优化的内部布局设计,减少了寄生电感的影响,从而提升了整体的系统性能。
额定电压:1200V
额定电流:25A
导通电阻:7.5mΩ
最大工作结温:175℃
开关频率:100kHz
封装形式:D2PAK
绝缘耐压:2500Vrms
GMC04CG120G25NT具有以下显著特性:
1. 使用碳化硅材料制造,相较于传统硅基器件,具备更高的效率和更快的开关速度。
2. 内部集成温度传感器和过流保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。
3. 采用直接键合铜(DBC)基板技术,提高了散热性能和长期稳定性。
4. 低寄生电感设计使得其在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗。
5. 支持高温运行环境,最高结温可达175℃,适用于恶劣的工作条件。
6. 具有良好的电磁兼容性,适合复杂电子系统中的应用。
GMC04CG120G25NT主要应用于以下几个领域:
1. 工业级大功率变频器和伺服驱动系统。
2. 新能源汽车的电机控制器和车载充电器。
3. 太阳能光伏逆变器和储能系统。
4. 高效DC-DC转换器和不间断电源(UPS)。
5. 风力发电机的变流器和其他可再生能源相关设备。
由于其优异的性能,该模块在需要高效能量转换和高功率密度的设计中非常受欢迎。
GMC04CG120G30NT
GMC04CG120G20NT