IRFB61N15 时间：2025/12/26 19:44:32 阅读：10

IRFB61N15是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，能够在中等电压范围内提供卓越的导通电阻与栅极电荷平衡，适用于多种电源管理场景。IRFB61N15的额定电压为150V，能够承受较高的工作电压，同时具备较低的RDS(on)值，有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。该MOSFET封装在TO-220AB或类似的通孔封装中，具有良好的热性能和机械稳定性，适合安装于散热器上以应对较高功率的应用需求。其广泛用于工业电机控制、开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及电池管理系统等场合。器件的设计兼顾了电气性能与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的运行表现。此外，IRFB61N15还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了其在瞬态过压情况下的鲁棒性，减少了对外部保护电路的依赖。总体而言，这款MOSFET是追求高效、紧凑和可靠电源设计工程师的理想选择之一。

参数

型号：IRFB61N15
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：61 A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：39 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：244 A
　　功耗（PD）：200 W
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 10 V：15 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：20 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）典型值：3.5 V
　　输入电容（Ciss）@ 25 V：7000 pF
　　输出电容（Coss）：2800 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +175 °C
　　封装形式：TO-220AB

特性

IRFB61N15凭借其先进的制造工艺和优化的电气特性，在同类产品中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为15mΩ（在VGS=10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体能效。这对于需要长时间运行且对温升敏感的应用尤为重要，如服务器电源、工业驱动器和可再生能源逆变器。该器件的高电流处理能力——在25°C下连续漏极电流可达61A，使其能够胜任大功率负载切换任务。即使在较高温度环境下（如100°C），仍可维持39A的持续导通能力，展现出良好的热稳定性。
　　其次，IRFB61N15采用了优化的栅极结构，实现了较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接减少了开关过程中的驱动能量需求，并加快了开关速度，从而降低了开关损耗。这对于高频工作的开关电源（如LLC谐振变换器、同步整流电路）极为有利，有助于提升频率响应能力和功率密度。同时，其输入电容（Ciss）为7000pF，在保证足够驱动强度的同时不会给前级驱动IC带来过大负担。
　　再者，该MOSFET具备出色的动态性能和抗雪崩能力。其反向恢复时间（trr）为45ns，配合体二极管使用时可减少换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。更重要的是，器件经过设计验证可在非重复条件下承受一定的雪崩能量，增强了在电感负载断开或输入电压突变等异常工况下的生存能力，提升了整个系统的可靠性。最后，TO-220AB封装不仅提供了良好的电气隔离，而且便于安装散热片，确保热量有效传导至外部环境，避免局部过热导致失效。这些综合特性使IRFB61N15成为工业与消费类高功率应用中的优选器件。

应用

IRFB61N15广泛应用于各类中高功率电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用；在电机驱动领域，用于控制直流电机或步进电机的桥式电路中，实现精确的速度与方向控制；在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可用于DC-AC逆变级，将电池或光伏板输出的直流电高效转换为交流电；此外，也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，保障锂电池组的安全运行。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也被用于工业自动化设备、焊接电源、照明镇流器以及电信电源模块中。