时间：2025/5/13 8:50:27
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IRFB59N10DPBF 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay International Rectifier 提供。该器件采用 DPAK 封装，适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。其高效率、低功耗和卓越的热性能使其成为工业和消费电子领域的理想选择。
型号：IRFB59N10DPBF
封装：DPAK (TO-252)
Vds（漏源极击穿电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值，@Vgs=10V）：6.5mΩ
Id（连续漏极电流）：40A
Ptot（总耗散功率，@Tc=25℃）：73W
f（工作频率范围）：高达 500kHz
Qg（栅极电荷，典型值）：28nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：2.5V 至 4.0V
Tj（结温范围）：-55℃ 至 175℃
IRFB59N10DPBF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高 Vds 耐压能力，能够承受高达 100V 的漏源极电压，适合多种高压应用环境。
3. 大电流处理能力，连续漏极电流 Id 达到 40A，确保在高负载条件下稳定运行。
4. 优化的栅极电荷 Qg，有助于降低开关损耗，提升高频性能。
5. 支持宽广的工作温度范围，从 -55℃ 到 175℃，适应极端环境需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
IRFB59N10DPBF 广泛应用于各种功率转换和控制领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和逆变器设计。
4. 工业自动化设备中的功率开关。
5. 消费类电子产品中的负载切换和保护功能。
6. 可再生能源系统，如太阳能微逆变器。
IRFB3207PbF, IRF540N, STP55NF06L
