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IRFB4410PBF 发布时间 时间:2025/6/4 10:20:17 查看 阅读:6

IRFB4410PBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力电子系统中。该器件采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
  IRFB4410PBF采用TO-252封装形式,适用于表面贴装工艺,具备较高的电流承载能力和良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRFB4410PBF具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻:其导通电阻仅为8.5mΩ,能够有效降低导通损耗,特别适合需要高效率的应用场景。
  2. 快速开关能力:该器件的栅极电荷较小(19nC),有助于实现快速开关,减少开关损耗。
  3. 高温适应性:工作温度范围可达-55℃至175℃,能够在极端环境下稳定运行。
  4. 小型化设计:TO-252封装使其非常适合表面贴装应用,节省了PCB空间。
  5. 稳定性高:得益于先进的Trench MOSFET技术,IRFB4410PBF在高频和高负载条件下表现出色,稳定性高且可靠性强。

应用

IRFB4410PBF适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 逆变器
  5. 负载切换
  6. 电池保护电路
  由于其低导通电阻和快速开关特性,这款器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为突出。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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IRFB4410PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C88A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 58A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5150pF @ 50V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFB4410PBF