时间：2025/6/4 1:58:07
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IRFB38N20DPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263-3 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高频开关应用，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。
该型号属于逻辑电平 MOSFET，其栅极阈值电压较低，非常适合与微控制器或其他低电压信号源直接连接。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：11.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：25nC
总开关能量：150nJ
功耗：27W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRFB38N20DPBF 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：200V 的漏源电压使得该器件能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：在 Vgs=10V 的情况下，导通电阻仅为 0.15Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和快速开关时间使其非常适合高频开关应用。
4. 宽温工作范围：从 -55°C 到 +175°C 的工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠性。
5. 热稳定性好：通过优化设计，该器件能够有效管理热量，进一步提高使用寿命。
IRFB38N20DPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：由于其高耐压和低导通电阻的特点，非常适合用于开关电源中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器：可以作为主开关或同步整流 MOSFET 使用，提升转换效率。
3. 电机驱动：用于控制小型直流电机或步进电机的启停和转速。
4. 负载开关：用作负载的开启/关闭控制，提供高效且可靠的切换功能。
5. 工业控制：适用于各种工业设备中的功率控制模块，如电磁阀驱动、继电器控制等。
IRFZ44N, STP11NM50, FDN340P
