您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFB38N20DPBF

IRFB38N20DPBF 发布时间 时间:2025/6/4 1:58:07 查看 阅读:4

IRFB38N20DPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-263-3 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种高频开关应用,例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。
  该型号属于逻辑电平 MOSFET,其栅极阈值电压较低,非常适合与微控制器或其他低电压信号源直接连接。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:11.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:25nC
  总开关能量:150nJ
  功耗:27W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFB38N20DPBF 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:200V 的漏源电压使得该器件能够在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻:在 Vgs=10V 的情况下,导通电阻仅为 0.15Ω,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷和快速开关时间使其非常适合高频开关应用。
  4. 宽温工作范围:从 -55°C 到 +175°C 的工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠性。
  5. 热稳定性好:通过优化设计,该器件能够有效管理热量,进一步提高使用寿命。

应用

IRFB38N20DPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):由于其高耐压和低导通电阻的特点,非常适合用于开关电源中的高频开关元件。
  2. DC-DC 转换器:可以作为主开关或同步整流 MOSFET 使用,提升转换效率。
  3. 电机驱动:用于控制小型直流电机或步进电机的启停和转速。
  4. 负载开关:用作负载的开启/关闭控制,提供高效且可靠的切换功能。
  5. 工业控制:适用于各种工业设备中的功率控制模块,如电磁阀驱动、继电器控制等。

替代型号

IRFZ44N, STP11NM50, FDN340P

IRFB38N20DPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFB38N20DPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRFB38N20DPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫欧 @ 26A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs91nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFB38N20DPBF