型号：K8P2815UQC-GIDS
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：16Gb（2GB）
　　位宽：32位
　　数据速率：14 Gbps
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V，VPP = 1.8V
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：82-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　接口类型：差分时钟输入，单端/差分命令与地址，差分数据选通
　　刷新机制：自动刷新、自刷新模式
　　数据预取架构：16n预取
　　封装尺寸：13mm x 14mm x 0.7mm（近似值）
　　最大时钟频率：7 GHz（有效数据速率14 Gbps）
　　每引脚数据速率：14 Gbps
　　组织结构：512M x 32
　　支持突发长度：BL16, BL8
　　内部Bank数量：16 Bank（分为4个Bank Group）
　　纠错支持：可选片外ECC（需系统支持）
　　热传感器集成：支持片内温度传感器输出
　　掉电保护：不支持内置掉电数据保持功能

K8P2815UQC-GIDS作为三星高端GDDR6系列的一员，具备多项先进特性以支持现代图形和计算应用的需求。首先，其高达14 Gbps的数据速率使其成为目前市场上速度最快的图形内存之一，能够在每个时钟周期内实现极高的数据吞吐量，这对于4K/8K视频渲染、实时光线追踪和深度学习推理等高带宽场景至关重要。该芯片采用了16n预取架构，结合双倍数据速率技术，有效提升了I/O效率，并降低了核心访问延迟。其内部结构划分为16个物理Bank，并进一步组织为4个Bank Group，支持更灵活的并发访问和更高的命令调度效率，从而提高整体内存利用率。
　　在电气特性方面，K8P2815UQC-GIDS优化了电源分配网络设计，采用分离式供电架构——VDD/VDDQ为1.35V用于I/O和外围电路，而VPP为1.8V专门用于字线驱动，这不仅提高了信号完整性，还增强了写入稳定性。同时，芯片内置精密的片内温度传感器（On-Die Thermal Sensor, ODTS），可实时监控结温并向GPU控制器反馈，便于实施动态频率与电压调节（DVFS），防止过热导致性能下降或硬件损坏。
　　该器件支持多种低功耗操作模式，包括轻度自刷新（Partial Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power Down Mode）以及按Bank关闭功能，允许系统在非活跃时段大幅降低静态功耗。此外，其差分时钟输入和数据选通设计显著提升了抗噪声能力，确保在高频运行下的信号完整性和数据准确性。为了增强系统的可靠性和稳定性，K8P2815UQC-GIDS支持外部ECC校验机制（需主控芯片配合），可在一定程度上检测并纠正单比特错误，适用于对数据完整性要求较高的专业图形工作站和AI训练平台。整体而言，这款芯片代表了当前GDDR6技术的顶尖水平，在性能、能效与可靠性之间实现了卓越平衡。

K8P2815UQC-GIDS主要用于对图形处理能力和内存带宽有极高要求的电子设备中。最典型的应用是高端独立显卡，尤其是基于NVIDIA Ampere、Ada Lovelace架构或AMD RDNA2、RDNA3架构的GPU产品，这些显卡广泛用于4K/8K游戏、虚拟现实（VR）、三维建模与动画渲染等领域。由于其高数据速率和低延迟特性，该芯片也被集成于人工智能加速卡中，服务于大规模神经网络训练和推理任务，特别是在数据中心级AI服务器中发挥关键作用。此外，它还被应用于高性能计算（HPC）系统，如超级计算机节点中的协处理器模块，提供快速的数据交换通道。
　　在消费电子领域，部分高端游戏主机也采用类似规格的GDDR6颗粒来统一内存架构，实现CPU与GPU共享高速内存资源，提升整体系统响应速度。广播级视频处理设备、医学影像系统以及雷达信号处理装置同样受益于K8P2815UQC-GIDS的高吞吐能力，能够在实时视频流编解码和大数据量图像分析中保持流畅运行。随着元宇宙、数字孪生等新兴技术的发展，对该类高性能图形内存的需求将持续增长，推动其在更多前沿科技领域的部署。值得注意的是，由于其工作频率极高，PCB设计需遵循严格的信号完整性规范，包括阻抗匹配、差分走线对称性控制以及多层电源地平面布局，以确保稳定可靠的运行。

K4Z80325BC-TBD
　　K4F8E3S4HM-GC1D
　　MT61K512M32TG-14