时间：2025/12/26 19:47:01
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IRFB38N20是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率开关场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高可靠性和高性能的系统设计。IRFB38N20的额定电压为200V，能够承受较高的漏源电压，在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等应用中表现出色。其封装形式为TO-247，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现高效散热。此外，该MOSFET还具备快速开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提升整体系统能效。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和耐用性，适合在严苛的工作环境下长期运行。由于其优异的电气特性和坚固的封装设计，IRFB38N20被广泛用于工业控制、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、UPS不间断电源以及电动车辆充电设备等领域。
型号：IRFB38N20
制造商：Infineon Technologies
晶体管类型：N沟道
漏源电压（VDS）：200V
连续漏极电流（ID）：38A（@25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：152A
导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@VGS=10V, ID=19A）
栅源阈值电压（VGS(th)）：4.0V（典型值）
最大栅源电压（VGS(max)）：±30V
功耗（PD）：200W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
输入电容（Ciss）：3040pF（@VDS=25V）
输出电容（Coss）：130pF（@VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：66ns
封装类型：TO-247
IRFB38N20采用英飞凌先进的Superjunction沟槽技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。这种技术通过在硅片中构建交替的P型和N型柱状结构，显著提升了器件的耐压能力，同时降低了导通损耗。其65mΩ的低RDS(on)使得在大电流条件下仍能保持较小的功率损耗，从而减少发热并提高系统效率。该MOSFET具有较低的总栅极电荷（Qg），典型值约为70nC，这有助于降低驱动电路的功耗，并加快开关速度，特别适合高频开关应用。此外，器件的输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）也经过优化，进一步减少了开关过程中的能量损失。
该器件具备出色的热稳定性和可靠性，其最大功耗可达200W，结合TO-247封装良好的热传导性能，能够在高温环境中稳定运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=66ns），有效减少了在感性负载切换时产生的电压尖峰和电磁干扰。IRFB38N20还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境下的工业和汽车级应用。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，支持绿色电子制造。
IRFB38N20广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于有源钳位、LLC谐振变换器或硬开关拓扑结构中，作为主开关器件承担能量传递任务。在DC-DC转换器中，尤其是在升压（Boost）和桥式拓扑中，该MOSFET凭借其低导通电阻和快速响应能力，可显著提升转换效率并减小散热需求。在电机驱动领域，IRFB38N20可用于中小型交流或直流电机的功率控制模块，实现精确的速度和扭矩调节。此外，在太阳能光伏逆变器中，该器件参与直流到交流的转换过程，确保高效的能量回馈电网。其高耐压特性也使其适用于不间断电源（UPS）和电池储能系统中的功率切换单元。在电动汽车充电设备（如车载充电机或充电桩内部电路）中，IRFB38N20可用于PFC（功率因数校正）级或DC-DC变换级，保障充电过程的安全与高效。工业自动化设备、焊接电源、感应加热装置等高功率应用场景也是其典型使用领域。
SPB38N20CF
