IRFB3607G 时间：2025/12/26 19:55:27 阅读：19

IRFB3607G是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高性能电源管理应用设计。该器件封装在D2Pak（TO-263）表面贴装封装中，具有低热阻和优异的散热能力，适合在高电流、高功率密度的应用中使用。IRFB3607G的主要优势在于其低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效开关操作，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源开关以及各种工业和消费类电子设备。
　　该MOSFET的额定电压为75V，连续漏极电流可达150A，具备出色的动态性能和热稳定性。其内部结构优化了电场分布，提升了器件的雪崩能量耐受能力，增强了系统可靠性。此外，IRFB3607G符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色器件标识，支持现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：75V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：150A
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：3.3mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：4.9mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型2.1V，范围1.7~2.3V
　　输入电容（Ciss）：典型值7000pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）：典型值43ns
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：D2Pak（TO-263）

特性

IRFB3607G采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其在10V栅压下的最大RDS(on)仅为3.3mΩ，在4.5V下也仅为4.9mΩ，这使得它即使在低电压驱动条件下也能保持优异的性能，适用于由电池供电或采用逻辑电平控制的应用场景。这种低RDS(on)特性对于大电流应用尤其关键，能有效降低功率损耗并减少散热需求。
　　该器件具备高电流承载能力，连续漏极电流高达150A，脉冲电流可达480A，适用于需要瞬时大电流输出的场合，如电机启动、电源浪涌等。其D2Pak封装具有较低的热阻（典型RθJC = 0.65°C/W），能够快速将芯片热量传导至PCB，提升散热效率，确保长时间高负载运行下的可靠性。此外，器件经过优化设计，具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的能效。
　　IRFB3607G还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在过压或瞬态应力条件下保持稳定，避免因电压尖峰导致的器件损坏。其反向恢复时间较短（典型43ns），配合体二极管优化，可减少续流过程中的能量损耗，特别适用于同步整流和H桥电路。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适应严苛的工业环境和高温运行条件。同时，产品通过AEC-Q101认证，可用于汽车级应用，具备高可靠性和长寿命。

应用

IRFB3607G广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电源系统中。常见应用包括直流-直流（DC-DC）转换器，尤其是在降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中作为主开关或同步整流器使用，因其低导通电阻和快速开关特性，可显著提升转换效率。在电机驱动领域，该器件用于有刷直流电机、步进电机和伺服系统的H桥驱动电路，支持双向控制和制动功能，满足高动态响应需求。
　　在电源管理系统中，IRFB3607G可用于高电流负载开关、热插拔控制器和冗余电源切换电路，其高电流能力和快速响应使其成为理想选择。此外，该器件适用于工业电源、服务器电源、电信设备和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的功率开关模块。由于其封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产，也适合高密度PCB布局设计。在汽车电子中，可用于车载充电器、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和车身控制模块等，满足汽车级可靠性要求。