2SC2712-GR(F) 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管采用了先进的硅外延平面工艺,具有良好的高频性能和稳定性。该型号属于小功率晶体管系列,适用于消费类电子产品和通信设备中的信号放大和开关应用。其封装形式为SOT-23(SC-59),尺寸小巧,便于在高密度PCB布局中使用。
类型: NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO): 30V
最大集电极电流(IC): 150mA
最大功耗(PD): 200mW
过渡频率(fT): 80MHz
集电极-基极反向击穿电压(VCBO): 30V
发射极-基极反向击穿电压(VEBO): 5V
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装形式: SOT-23(SC-59)
2SC2712-GR(F) 具备优异的高频响应性能,使其适用于射频和中频放大电路。其高过渡频率(fT)达到80MHz,能够满足多种信号放大需求。
该晶体管的VCEO为30V,IC最大为150mA,适用于中低功率放大和开关电路。其SOT-23封装形式不仅体积小,而且具备良好的热稳定性和机械强度,适合在便携式设备和高密度电路板中使用。
此外,2SC2712-GR(F) 的制造工艺确保了其良好的参数一致性与可靠性,适用于需要长时间稳定工作的电子系统。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适合在多种环境条件下使用。
该器件的增益带宽积较高,能够有效提升放大器的响应速度和信号保真度,适合用于音频前置放大器、数据通信接口电路等应用中。
2SC2712-GR(F) 主要应用于射频信号放大器、中频放大器、音频前置放大器、开关电路以及低功率模拟电路中。该晶体管广泛用于无线通信设备、电视接收机、调频收音机、音响设备、传感器信号调理电路以及各类消费电子产品中。其高频率响应特性也使其成为射频识别(RFID)设备、无线遥控器、无线传感器网络节点等应用的理想选择。此外,由于其小尺寸封装,该晶体管也非常适合用于便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
2N3904, BC547, 2SC1815