时间：2025/7/22 20:27:43
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2SC2712-GR(F) 是一款由东芝（Toshiba）制造的NPN型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中。该晶体管采用了先进的硅外延平面工艺，具有良好的高频性能和稳定性。该型号属于小功率晶体管系列，适用于消费类电子产品和通信设备中的信号放大和开关应用。其封装形式为SOT-23（SC-59），尺寸小巧，便于在高密度PCB布局中使用。
类型: NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO): 30V
最大集电极电流(IC): 150mA
最大功耗(PD): 200mW
过渡频率(fT): 80MHz
集电极-基极反向击穿电压(VCBO): 30V
发射极-基极反向击穿电压(VEBO): 5V
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装形式: SOT-23（SC-59）
2SC2712-GR(F) 具备优异的高频响应性能，使其适用于射频和中频放大电路。其高过渡频率（fT）达到80MHz，能够满足多种信号放大需求。
该晶体管的VCEO为30V，IC最大为150mA，适用于中低功率放大和开关电路。其SOT-23封装形式不仅体积小，而且具备良好的热稳定性和机械强度，适合在便携式设备和高密度电路板中使用。
此外，2SC2712-GR(F) 的制造工艺确保了其良好的参数一致性与可靠性，适用于需要长时间稳定工作的电子系统。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在多种环境条件下使用。
该器件的增益带宽积较高，能够有效提升放大器的响应速度和信号保真度，适合用于音频前置放大器、数据通信接口电路等应用中。
2SC2712-GR(F) 主要应用于射频信号放大器、中频放大器、音频前置放大器、开关电路以及低功率模拟电路中。该晶体管广泛用于无线通信设备、电视接收机、调频收音机、音响设备、传感器信号调理电路以及各类消费电子产品中。其高频率响应特性也使其成为射频识别（RFID）设备、无线遥控器、无线传感器网络节点等应用的理想选择。此外，由于其小尺寸封装，该晶体管也非常适合用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
2N3904, BC547, 2SC1815
