时间：2025/5/9 18:15:58
阅读：6
IRFB260NPBF是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用了P沟道增强型技术，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。同时，它还具备较高的雪崩击穿能力，可以有效应对电路中的异常情况，确保系统的稳定运行。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：18A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1750pF
工作温度范围：-55℃至175℃
IRFB260NPBF具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为4.5mΩ，这使得它非常适合用于高效能的应用场景。
2. 高雪崩能量能力，增强了其在过载条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗，特别适合高频操作环境。
4. 符合RoHS标准，满足环保要求。
5. 小巧的封装设计（TO-220FP），便于安装和散热管理。
IRFB260NPBF适用于多种电子电路应用，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）设计，提供高效的功率转换。
2. DC-DC转换器，用作主开关或同步整流元件。
3. 电池管理系统，实现精确的充放电控制。
4. 电机驱动器，用于控制电机的速度和方向。
5. 负载开关，保护后端电路免受过大电流的影响。
IRFB260N
IRFZ24N
STP16NF55
