时间：2025/5/27 16:28:48
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IRFB23N20DPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装形式，适用于高效率开关应用和负载切换场景。
该型号的主要特点是低导通电阻和高雪崩能力，能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷（典型值）：18nC
总功耗：26W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DPAK（TO-252）
IRFB23N20DPBF 提供了低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。
该器件具有较高的雪崩击穿能量能力，能够承受异常条件下的过载或短路情况。
其快速开关速度使其非常适合于高频 DC-DC 转换器、开关电源以及电机驱动等应用。
此外，它还具备优秀的热性能，有助于在高温环境下稳定运行。
DPAK 封装设计提供了良好的散热性能，同时便于表面贴装工艺。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率电子设备中，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电池保护电路、电机驱动器和负载开关等。
由于其出色的高频性能和低导通损耗，IRFB23N20DPBF 成为许多高效能功率转换系统的理想选择。
IRFZ24N, IRFBG20D
