时间：2025/7/25 22:50:41
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APT26GU30KG 是一款由 Microchip Technology（原 Advanced Power Technology）生产的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用 TO-263（D2PAK）封装形式，具备优异的热性能和电流承载能力，适合用于开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC 转换器以及电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）@ 25°C：260A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：160nC
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
APT26GU30KG 具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（高达 260A）使其适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽式技术，确保了在高频率开关应用中的稳定性和可靠性。
TO-263 封装提供了良好的散热性能，能够有效降低结温，延长器件寿命。
此外，该器件具有较强的抗雪崩能力，适用于高应力环境下的电源管理应用。
APT26GU30KG 还具备较低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗，提高开关速度，适合高频工作场景。
其高可靠性设计使其在工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中具有广泛的应用前景。
APT26GU30KG 常用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、负载开关、热插拔电路以及各种工业控制和自动化设备中。
由于其优异的导通特性和高电流能力，该器件在电动汽车充电系统和新能源发电系统中也得到了广泛应用。
同时，该 MOSFET 可作为同步整流器使用，提高转换效率并减少热量产生。
在服务器电源和通信设备中，APT26GU30KG 用于实现高效率的功率转换，满足 80 Plus 高效电源认证要求。
SiS34N03SG, AUIRF2804, APT260GD60SGQG, STP250N3LLF7AG
