IRF9Z34NS 时间：2025/5/12 17:26:47 阅读：8

IRF9Z34NS 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。它专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等领域。
　　该器件采用 TO-263-3 封装形式，具备出色的散热性能和可靠性，适合高功率密度的应用场景。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：10A
　　脉冲漏极电流：35A
　　导通电阻：0.8Ω
　　总栅极电荷：22nC
　　输入电容：700pF
　　输出电容：240pF
　　反向传输电容：100pF
　　功耗：230W

特性

IRF9Z34NS 的主要特点是其高耐压能力与较低的导通电阻，使得该 MOSFET 在高压开关应用中表现出色。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，并提高整体系统效率。
　　具体特性如下：
　　- 高击穿电压：能够承受高达 500V 的漏源电压，适用于高压环境。
　　- 低导通电阻：在高电流条件下降低功耗，提升效率。
　　- 快速开关速度：减少开关过程中的能量损耗，适合高频工作条件。
　　- 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
　　- 小封装大功率：TO-263-3 封装提供良好的散热性能，同时节省电路板空间。
　　- 可靠性高：通过了多种质量认证测试，确保长期使用中的可靠性。

应用

IRF9Z34NS 广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　- 开关电源（SMPS）：作为主开关元件，在 AC-DC 或 DC-DC 转换器中实现高效的功率转换。
　　- 电机驱动：用于控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
　　- 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中实现高效的能量转换。
　　- 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护电路，防止过流、短路等情况发生。
　　- 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等需要高效功率管理的场合。
　　- 汽车电子：在车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等汽车相关应用中发挥重要作用。