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HY5PS561621BFP-2DR 发布时间 时间:2025/9/1 22:38:23 查看 阅读:9

HY5PS561621BFP-2DR 是由SK Hynix(现为Hynix Semiconductor)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型低功耗DRAM(LPDRAM)系列,广泛应用于需要低功耗和高性能内存的便携式电子设备中。该型号特别适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的设备。

参数

类型: LPDRAM SDRAM
  容量: 128MB
  数据宽度: 16位
  封装类型: FBGA
  工作电压: 1.7V - 3.3V(I/O电压为1.8V)
  时钟频率: 最高可达166MHz
  封装尺寸: 54-ball FBGA
  数据传输速率: 333Mbps
  工作温度范围: 工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

HY5PS561621BFP-2DR 采用先进的DRAM技术,具有低功耗、高性能和高集成度的特点。其低电压设计(1.8V I/O)有助于降低系统功耗,延长电池寿命。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,可在待机状态下显著降低功耗,非常适合移动设备使用。此外,它具备较高的数据传输速率,能够满足高速数据处理的需求,适用于图形处理、缓存存储等应用场景。
  该芯片还支持多种操作模式,包括突发模式、预充电模式和低功耗模式,用户可以根据系统需求灵活配置。其54-ball FBGA封装设计不仅节省空间,还能提供良好的散热性能,确保在高负载下的稳定运行。HY5PS561621BFP-2DR 在设计上兼容多种处理器和控制器接口,便于系统集成和升级。

应用

HY5PS561621BFP-2DR 主要应用于需要高性能和低功耗内存的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、手持终端等。此外,它也适用于工业控制、车载电子、多媒体播放器、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的场景。由于其较高的数据传输速率和较低的工作电压,该芯片在需要快速数据访问和节能设计的系统中表现出色。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-2.5A, EMIF0832AA-25A, K4S641632K-F75C

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