时间：2025/7/10 12:24:03
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IRF9Z34 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高效率和快速响应的应用环境。
IRF9Z34采用TO-220封装形式，便于散热设计，能够满足中等功率应用的需求。其内部结构基于先进的VDMOS技术，确保了优秀的电气性能。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻：7Ω
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRF9Z34的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为500V，适用于高压电路环境。
2. 较低的导通电阻，在典型条件下仅为7Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够适应高频应用需求。
4. TO-220标准封装，具备良好的热性能和机械稳定性。
5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下保持可靠运行。
6. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件的鲁棒性。
IRF9Z34适用于多种电力电子应用场景，例如：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 逆变器及高频振荡电路中的关键组件。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理单元。
由于其高耐压和低导通电阻的特点，IRF9Z34特别适合需要高效能量转换和稳定性能的场合。
IRFZ34N, IRFZ34
