IRF9Z24S 是一款 N 沯道垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel VDMOS Power FET),由 Vishay 公司生产。该器件适用于高频开关应用,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效功率转换的场合。
IRF9Z24S 的封装形式为 TO-252 (DPAK),使其能够在紧凑的空间内提供高效的性能。该器件在设计时充分考虑了现代电子系统对节能和空间优化的需求。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:8.6A
栅源电压:±20V
导通电阻:0.18Ω
功耗:75W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRF9Z24S 具有以下显著特点:
1. 高效开关性能,支持高频应用。
2. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在高电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关能力,有助于降低开关损耗并提高整体效率。
4. 紧凑型 TO-252 封装,适合空间受限的设计。
5. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
6. 支持宽范围的工作温度,适应恶劣环境的应用需求。
IRF9Z24S 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 电机驱动电路,包括直流无刷电机控制。
3. 电池充电器及保护电路。
4. 各种 DC-DC 转换器模块。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
6. LED 照明驱动电路。
7. 通信设备中的电源管理部分。
IRFZ24N, IRFZ44N