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IRF9Z24S 发布时间 时间:2025/5/7 18:20:12 查看 阅读:10

IRF9Z24S 是一款 N 沯道垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel VDMOS Power FET),由 Vishay 公司生产。该器件适用于高频开关应用,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效功率转换的场合。
  IRF9Z24S 的封装形式为 TO-252 (DPAK),使其能够在紧凑的空间内提供高效的性能。该器件在设计时充分考虑了现代电子系统对节能和空间优化的需求。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:8.6A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:0.18Ω
  功耗:75W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRF9Z24S 具有以下显著特点:
  1. 高效开关性能,支持高频应用。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在高电流应用中减少功率损耗。
  3. 快速开关能力,有助于降低开关损耗并提高整体效率。
  4. 紧凑型 TO-252 封装,适合空间受限的设计。
  5. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  6. 支持宽范围的工作温度,适应恶劣环境的应用需求。

应用

IRF9Z24S 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 电机驱动电路,包括直流无刷电机控制。
  3. 电池充电器及保护电路。
  4. 各种 DC-DC 转换器模块。
  5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
  6. LED 照明驱动电路。
  7. 通信设备中的电源管理部分。

替代型号

IRFZ24N, IRFZ44N

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IRF9Z24S参数

  • 数据列表IRF9Z24S/L
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 6.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds570pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9Z24S