类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-55V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-16A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-64A
　　功耗（PD）：83W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻RDS(on) max：-85mΩ（@ VGS = -10V, ID = -8A）
　　阈值电压（VGS(th)）：-2.0V 至 -4.0V（@ ID = -250μA）
　　输入电容（Ciss）：1400pF（@ VDS = -25V）
　　输出电容（Coss）：490pF（@ VDS = -25V）
　　反向恢复时间（trr）：27ns（典型值）
　　封装类型：TO-220AB

IRF9Z24L采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和场效应优化设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。该器件在-10V栅极驱动电压下可实现最大85mΩ的RDS(on)，有效降低了导通损耗，提高了系统整体效率。其高电流承载能力（高达-16A连续漏极电流）使其适用于中高功率开关应用。得益于优化的晶圆结构，IRF9Z24L具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，结温最高可达175°C，增强了系统的可靠性和寿命。
　　该MOSFET具有良好的雪崩耐量，能够承受多次重复的电感关断冲击，适用于存在感性负载的应用场景，如继电器驱动、电机控制等。其快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提升高频工作下的能效表现。输入电容约为1400pF，输出电容为490pF，在保证性能的同时兼顾了驱动电路的设计复杂度。
　　IRF9Z24L的P沟道特性使其在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路即可直接驱动，简化了电源设计并降低成本。该器件还具备较强的抗噪声干扰能力，栅极阈值电压范围合理（-2.0V至-4.0V），确保在不同工作条件下都能可靠开启与关断。此外，其符合工业级和汽车级可靠性标准，可用于要求严苛的应用环境。TO-220封装提供了良好的散热路径，便于安装散热片以进一步提升功率处理能力。

IRF9Z24L广泛应用于各类需要高效P沟道功率开关的场合。常见用途包括同步整流电路中的上管开关，尤其在低压DC-DC转换器中用于提高转换效率；也可作为电池管理系统中的充放电控制开关，实现对电池回路的通断管理。在电机驱动领域，该器件可用于H桥电路的高端侧开关元件，控制直流电机的正反转及制动操作。此外，它适用于各种电源开关模块、UPS不间断电源、逆变器和工业控制设备中的负载切换电路。
　　由于其具备较高的电流容量和良好的热性能，IRF9Z24L也常用于消费类电子产品中的热插拔保护电路和电源多路复用设计。在汽车电子系统中，可用于车灯控制、风扇驱动或车载充电器等模块，满足汽车级工作温度和可靠性要求。同时，其坚固的结构和抗浪涌能力使其适合部署在工业自动化、智能仪表和通信电源等长期运行的关键系统中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。

SPM9P06BL,IRF9Z34N,FDMS8878BZ