IRF9640N 时间：2025/12/26 19:32:44 阅读：13

IRF9640N是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及电机控制等电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点，使其在高效率功率转换应用中表现出色。IRF9640N的封装形式为TO-220AB，这种封装具备良好的散热性能，适合用于需要较高功率耗散能力的场景。作为一款P沟道MOSFET，它在栅极施加相对于源极为负电压时导通，常用于高端开关配置或与N沟道MOSFET配合构成互补对称电路（如H桥或推挽拓扑）。该器件能够在?100V的漏源电压下工作，最大连续漏极电流可达?11A，适用于工业控制、消费类电源、DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统等多种应用场景。由于其高可靠性和成熟的制造工艺，IRF9640N在全球范围内被广泛采用，并成为许多设计工程师在中高压P沟道开关应用中的首选之一。此外，该器件还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了系统的鲁棒性。

参数

型号：IRF9640N
　　类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：-100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-11A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：-36A
　　导通电阻(RDS(on))：0.28Ω @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：0.35Ω @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-2.0V ~ -4.0V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ VDS=50V
　　输出电容(Coss)：110pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：48ns
　　工作温度范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-220AB

特性

IRF9640N采用英飞凌先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。其典型RDS(on)在VGS = -10V时仅为0.28Ω，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于需要低功耗运行的高负载开关应用。该器件具备出色的热稳定性，能够在结温高达+175°C的环境下持续工作，确保在高温工业环境中依然保持可靠性。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，输入电容Ciss仅为400pF，输出电容Coss为110pF，使得驱动电路所需的驱动功率较低，有利于简化栅极驱动设计并提高开关频率。反向恢复时间trr为48ns，相较于传统MOSFET有所优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，降低电磁干扰（EMI），提升高频应用中的性能表现。
　　IRF9640N具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压和电流冲击，增强了在电机启动、感性负载切换等严苛工况下的耐用性。其栅源电压额定值为±20V，提供了足够的电压裕度，防止因栅极过压导致器件损坏。同时，阈值电压范围为-2.0V至-4.0V，确保了稳定的开启与关闭行为，避免误触发。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。TO-220AB封装不仅便于安装于散热片上以增强散热效果，也兼容自动插件和波峰焊工艺，适合大规模生产使用。综合来看，IRF9640N在性能、可靠性与可制造性之间实现了良好平衡，是中高压P沟道开关应用的理想选择。

应用

IRF9640N广泛应用于各类需要高效、可靠功率开关的电子系统中。常见用途包括直流电机控制电路，特别是在H桥驱动结构中作为高端开关使用，利用其P沟道特性实现简洁的驱动逻辑。在电源管理系统中，该器件可用于电池反接保护、负载开关控制以及备用电源切换等场合，凭借其低静态功耗和高耐压能力保障系统安全。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中，IRF9640N可作为同步整流开关或主开关元件，有效降低传导损耗，提高转换效率。其快速开关特性和较低的寄生电容使其适用于中高频开关电源设计，例如工业电源模块、通信设备供电单元和嵌入式电源系统。
　　此外，该器件也常用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，承担直流侧的开关任务，实现能量的双向流动控制。在汽车电子领域，尽管并非专为车规级设计，但在非关键性的车载电源管理模块中仍有应用实例，如车灯控制、风扇驱动等。
　　由于其高耐压（-100V）和较强的电流承载能力（-11A），IRF9640N也被用于工业自动化控制系统中的继电器替代方案，实现固态开关功能，减少机械触点带来的磨损和延迟问题。总体而言，该器件适用于从消费类电子产品到工业设备的多种中高功率开关场景。