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IRF9540 发布时间 时间:2025/4/30 14:32:42 查看 阅读:4

IRF9540是一款由Vishay公司生产的P沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载切换以及电机控制等领域。该器件采用TO-220封装,具备较高的电流处理能力和较低的导通电阻特性,适合中高功率应用场合。
  IRF9540作为P沟道MOSFET,其源极连接到正电压,栅极施加负电压即可导通。由于其出色的性能和稳定性,广泛用于工业、汽车电子及消费类电子产品中。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏电流:8.6A
  最大脉冲漏电流:34A
  栅极阈值电压:-4V
  导通电阻:0.18Ω
  功耗:108W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF9540具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(100V),可承受较高电压的应用环境。
  2. 低导通电阻(典型值为0.18Ω),有助于减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,适用于高频电路设计。
  4. 较宽的工作温度范围(-55℃至175℃),能够在极端环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于焊接与安装。
  6. TO-220封装提供良好的散热性能,便于热管理。
  这些特点使得IRF9540成为一款性能优越的P沟道MOSFET,满足多种应用需求。

应用

IRF9540的主要应用领域包括:
  1. 开关电源中的同步整流或降压电路。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 负载切换电路,例如电池管理系统中的充放电控制。
  4. 汽车电子中的继电器替代或电机驱动。
  5. 保护电路中的过流保护或短路保护。
  6. 各类工业控制设备中的信号隔离与功率放大。
  凭借其优异的电气特性和可靠性,IRF9540在众多电子系统中发挥着重要作用。

替代型号

IRF540N, IRF650N

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  • IRF9540
  • 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Powe...
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IRF9540参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9540