类型：射频功率晶体管
　　封装类型：TO-268
　　最大集电极电流：26A
　　最大集电极-发射极电压：260V
　　最大发射极-基极电压：5V
　　最大功耗：300W
　　频率范围：DC至1GHz
　　增益：>20dB
　　噪声系数：<4dB
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

HD268T26P的主要特性包括其高功率处理能力和优异的热稳定性。该晶体管采用先进的硅工艺制造，能够在高频条件下保持高效率和低失真。此外，其TO-268封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度，使其适用于各种严苛的工作环境。HD268T26P还具备高可靠性，能够在长时间运行中保持稳定的性能。其低噪声系数和高增益特性使其在射频放大应用中表现出色，能够有效提升信号质量和系统灵敏度。此外，该器件的宽频率响应范围使其适用于多种通信标准和协议，包括蜂窝通信、Wi-Fi和蓝牙等。
　　在电气性能方面，HD268T26P具备优异的线性度和稳定性，能够在不同负载条件下保持一致的输出性能。其高耐压能力使其能够承受较高的电压波动，避免因电压过载而导致的损坏。此外，该晶体管的快速响应特性使其适用于需要高频开关的应用场景。

HD268T26P广泛应用于射频功率放大器、通信基站、无线基础设施、工业控制系统以及测试测量设备。在通信领域，该晶体管可用于构建高效率的射频放大器模块，提升信号传输距离和稳定性。在工业控制系统中，HD268T26P可以用于驱动高频电机和传感器，实现精确的控制功能。此外，该器件还适用于各种测试设备，如信号发生器和频谱分析仪，用于提供高精度的射频信号输出。

NTE268T26P、ST268T26P、MJ268T26P