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IRF9388TRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 15:56:12 查看 阅读:10

IRF9388TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于中等功率的开关应用。这款MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能开关的场合。
  IRF9388TRPBF在设计上优化了其电气特性和热性能,使其能够在高电流和高频工作条件下保持稳定的性能。它还具备出色的抗静电能力,能够承受高达2kV的HBM(人体模型)静电放电,确保了其在实际应用中的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:9.5mΩ
  栅极电荷:14nC
  总耗散功率:45W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  结温:175℃

特性

IRF9388TR>1. 低导通电阻(Rds(on)),典型值为9.5毫欧姆,在高电流应用中可以显著降低功耗。
  2. 快速开关速度,使得该MOSFET适合高频应用环境。
  3. 较高的漏源电压(Vds)为60伏,能够承受较高的电压应力。
  4. 具备较大的漏极电流能力,支持高达17安培的连续电流。
  5. 工作温度范围宽广,从-55摄氏度到+175摄氏度,适应各种恶劣的工作条件。
  6. 高效散热设计,确保在大功率运行时保持稳定性能。
  7. 抗静电能力较强,能够承受2千伏的人体模型静电放电,提高了产品的可靠性。
  8. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

IRF9388TRPBF适用于多种电力电子领域,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和能量转换。
  3. 电池管理系统(BMS),如电动车或储能系统的充放电控制。
  4. 电机驱动电路,控制直流或步进电机的运行状态。
  5. 照明系统中的LED驱动器,实现恒流或调光功能。
  6. 通信设备中的电源管理模块。
  7. 汽车电子领域的负载切换和保护电路。
  8. 各种工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

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IRF9388TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 12A,20V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1680pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9388TRPBFTR