IRF9333TRPBF 时间：2025/4/30 17:24:45 阅读：4

IRF9333TRPBF 是一款由 Vishay 提供的 P 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流能力，适用于多种电源管理应用，如负载开关、DC-DC 转换器、逆变器以及电池保护电路等。
　　IRF9333TRPBF 的设计使其能够在高频率条件下高效工作，同时保持良好的热性能。其增强型逻辑电平驱动特性使得它可以直接与微控制器或数字信号处理器（DSP）接口，而无需额外的栅极驱动电路。

参数

型号：IRF9333TRPBF
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压(Vds)：-40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±10V
　　连续漏极电流(Id)：-7.6A (Tc=25°C), -4.3A (Tc=100°C)
　　导通电阻(Rds(on))：125mΩ (典型值, Vgs=-4.5V), 200mΩ (最大值, Vgs=-4.5V)
　　总功耗(Ptot)：28W
　　工作温度范围(Ta)：-55°C to 150°C
　　栅极电荷(Qg)：15nC (典型值)

特性

IRF9333TRPBF 具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻：Rds(on) 为 125mΩ（典型值），有助于减少导通损耗并提高效率。
　　2. 增强型逻辑电平驱动：能够直接由 TTL 或 CMOS 输出驱动，简化了电路设计。
　　3. 高电流承载能力：支持高达 -7.6A 的连续漏极电流，在实际应用中表现出色。
　　4. 紧凑型封装：采用 TO-252 (DPAK) 封装，适合空间受限的设计。
　　5. 宽工作电压范围：支持 -40V 的最大漏源电压，适应多种电压环境。
　　6. 较高的工作温度范围：可以在 -55°C 到 +150°C 的温度范围内稳定运行，适用于各种工业和汽车环境。
　　7. 快速开关速度：得益于较低的栅极电荷，能够实现高效的高频操作。

应用

IRF9333TRPBF 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关或同步整流器件。
　　2. DC-DC 转换器：用于降压或升压转换。
　　3. 电池保护：在便携式设备中防止过放电。
　　4. 电机控制：驱动小型直流电机或步进电机。
　　5. 负载开关：快速切换不同负载状态。
　　6. 逆变器：用于将直流电转换为交流电的应用。
　　7. 汽车电子：包括启动系统、照明控制和其他车载电子设备。