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IRLR3105TRPBF 发布时间 时间:2025/5/9 13:43:01 查看 阅读:6

IRLR3105TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。这款器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性。其设计适合各种需要高效功率转换的应用场景,如电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关等。
  该器件的工作电压范围为20V,能够支持高达49A的连续漏极电流(在特定条件下)。由于其出色的性能表现,IRLR3105TRPBF被广泛用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏极电流:49A
  栅极阈值电压:1.8V~2.7V
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:28W
  工作结温范围:-55℃~175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

IRLR3105TRPBF采用沟槽MOSFET技术,具备极低的导通电阻,可显著减少功率损耗并提升效率。
  它拥有优秀的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,同时支持逻辑电平驱动,便于与微控制器或数字电路直接连接。
  此外,该器件还具有快速开关特性,有助于降低开关损耗,非常适合高频应用。其坚固的设计也确保了在恶劣环境下的耐用性。
  为了方便用户集成到不同的系统中,IRLR3105TRPBF采用了行业标准的TO-252(DPAK)封装,这种封装形式既易于焊接又具备良好的散热性能。

应用

IRLR3105TRPBF适用于多种功率电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 电机驱动:可用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制电路。
  2. DC-DC转换器:作为同步整流管或主开关管,在降压或升压拓扑中发挥关键作用。
  3. 电池管理:用于电池保护、充放电控制和电量监测电路。
  4. 负载开关:实现对负载的快速开启和关闭,同时减少能耗。
  5. 汽车电子:如启动马达控制、车载充电器等。
  6. 工业自动化:如PLC输出模块、继电器替代方案等。

替代型号

IRLR3104TRPBF, IRLR3106TRPBF

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IRLR3105TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C37 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds710pF @ 25V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR3105TRPBF-NDIRLR3105TRPBFTR