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IRF9328TRPBF 发布时间 时间:2025/4/25 15:02:36 查看 阅读:4

IRF9328TRPBF 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用TO-263封装形式。该器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。其低导通电阻和高开关速度使其成为高性能功率管理的理想选择。
  IRF9328TRPBF具有较高的电流处理能力,同时具备出色的热性能,适合在严苛的工业环境中使用。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:12A
  脉冲漏极电流:36A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1040pF
  开关时间:开启时间=14ns,关断时间=18ns

特性

IRF9328TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中降低功耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,能够减少开关损耗并支持高频操作。
  3. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  4. 优化的栅极驱动设计,简化了电路设计复杂度。
  5. 良好的热稳定性,可承受长时间工作而不易损坏。
  6. 封装形式为TO-263,具有良好的散热性能,便于安装和维护。
  这些特性使得IRF9328TRPBF非常适合于高效率功率转换和电机控制等应用领域。

应用

IRF9328TRPBF广泛应用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  6. 汽车电子系统中的负载控制和电源管理电路。
  由于其高效率和可靠性,IRF9328TRPBF是许多功率电子设计中的关键组件。

替代型号

IRF9328G, IRF9328H, IRF9328PBF

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IRF9328TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.9 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1680pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9328TRPBFTR