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IRF9317TRPBF 发布时间 时间:2025/6/21 0:43:25 查看 阅读:4

IRF9317TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 封装形式。该器件设计用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、开关电源、电机控制和负载切换等场景。
  IRF9317TRPBF 具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提升效率并减少能量损耗。其高击穿电压特性使其能够在较高电压条件下稳定工作,同时具备优异的热特性和可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  输入电容:100pF
  总栅极电荷:8nC
  最大功耗:25W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF9317TRPBF 的主要特点包括:
  1. 低导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高开关速度,适用于高频应用。
  3. 较小的封装尺寸(TO-252),适合紧凑型设计。
  4. 出色的热性能,确保在高温环境下可靠运行。
  5. 提供良好的电气隔离和抗干扰能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。

应用

IRF9317TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC 转换器,用于电池供电设备或汽车电子系统。
  3. 电机驱动与控制电路。
  4. 便携式电子设备中的负载切换。
  5. 工业自动化及通信设备中的高效功率管理。
  6. LED 照明驱动解决方案。
  该器件因其高性能和可靠性成为许多工程师的首选组件。

替代型号

IRF9317TRPBF, IRL3103PBF, FDP5500

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IRF9317TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.6 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs92nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2820pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9317TRPBFTR