时间：2025/6/19 15:04:49
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DS1230AB-200+ 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (nvSRAM)，具有高可靠性、低功耗和快速访问时间等特性。该器件将传统的 SRAM 和非易失性存储功能结合在一起，能够在系统断电时通过内部的 EEPROM 自动保存数据，并在重新上电后恢复数据。
DS1230AB-200+ 提供 32K x 8 的存储容量，采用 SOIC 封装形式，适合各种工业和嵌入式应用环境。
存储容量：32K x 8 bits
工作电压：4.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：20 引脚 SOIC
访问时间：70ns（最大）
数据保留时间：10 年（典型值）
写入周期：无限制（SRAM 模式），EEPROM 写入周期为 1,000,000 次
数据保护：硬件写保护引脚
DS1230AB-200+ 具有以下关键特性：
1. 非易失性存储功能，支持数据在掉电情况下自动保存并恢复。
2. 快速访问时间，适用于需要高频读写的实时应用。
3. 内置硬件写保护功能，可以防止意外写入或覆盖数据。
4. 工作电压范围宽，适应多种供电条件。
5. 高可靠性设计，适用于工业控制、医疗设备和其他要求苛刻的应用场景。
6. 耐用性强，EEPROM 部分提供高达 1,000,000 次的写入周期。
7. 小型化封装设计，节省电路板空间。
DS1230AB-200+ 适用于以下应用场景：
1. 工业自动化中的数据记录和配置存储。
2. 医疗设备的数据暂存和备份。
3. 嵌入式系统中需要频繁更新且必须保证数据完整性的场合。
4. 仪表设备的数据采集与存储。
5. 通信系统中的临时数据缓冲区。
6. 任何需要高可靠性和快速访问的存储解决方案领域。
DS1230Y-200+, DS1231A-200+, CY14B101MN
