时间：2025/7/16 18:58:36
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IAUZN04S7L046 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率、低损耗的应用而设计，适用于各种电力电子设备和开关电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流 (Id)：150A
漏源电压 (Vds)：40V
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：4.6mΩ
封装类型：LFPAK75
IAUZN04S7L046 具有较低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在高电流应用中能够显著减少传导损耗，提高整体效率。这种 MOSFET 采用 LFPAK75 封装技术，具有良好的热性能和机械稳定性，同时具备较高的可靠性和耐用性。
该器件还具有较快的开关速度，使其在高频开关电源应用中表现优异。此外，其低导通电阻与高电流能力相结合，使 IAUZN04S7L046 成为汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器和电机控制等领域的理想选择。
ROHM 的这款 MOSFET 设计用于优化性能并降低功耗，同时提供良好的热管理，确保长期稳定运行。其封装设计支持双面散热，有助于进一步提升热性能。
IAUZN04S7L046 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车载充电器。此外，它还可用于工业电源、高效 DC-DC 转换器、电机驱动电路以及各种需要大电流、低损耗的功率管理场合。
IPD150N04S4-03, SQJQ150EP
