容量：8GB
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA
　　数据速率：4Gbps
　　工作电压：1.2V
　　I/O接口：x16
　　时钟频率：1000MHz
　　带宽：4Gbps
　　封装尺寸：138-ball
　　JEDEC标准：符合
　　温度范围：0°C 至 +85°C

H9TA4GH2GDMCPR-4GMR DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具备高速数据传输能力，其数据速率达到4Gbps，满足了对带宽要求极高的应用需求。
　　该芯片采用1.2V的低电压供电设计，有效降低了功耗，适用于注重能效的系统，如服务器、移动计算设备和嵌入式平台。
　　其封装形式为138-ball BGA，确保了良好的电气性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局，并减少了信号干扰。
　　此型号支持x16 I/O配置，提供了更高的数据吞吐能力，适用于图形处理、AI加速和高性能计算等场景。
　　此外，H9TA4GH2GDMCPR-4GMR 符合JEDEC标准，确保了在不同系统平台中的兼容性，并支持在宽温度范围内（0°C 至 +85°C）稳定运行，增强了其在严苛环境中的可靠性。
　　该芯片还内置了多项可靠性增强功能，如自动刷新、自刷新模式、温度补偿自刷新（TCSR）等，有效延长数据保存时间并减少功耗。

H9TA4GH2GDMCPR-4GMR 主要应用于需要高速大容量内存的高端设备和系统中。例如，它广泛用于图形显卡（GPU）和AI加速卡中，为深度学习、图像渲染和高性能计算提供必要的带宽支持。
　　在服务器和数据中心领域，该芯片可作为高速缓存或主内存使用，提升系统的整体性能和能效。
　　同时，它也被用于高性能嵌入式系统、工业控制设备、网络交换设备和高端消费电子产品，如游戏主机和高性能笔记本电脑。
　　由于其低功耗和高带宽的特性，该芯片也适用于需要长时间稳定运行的工业和车载系统，确保在复杂环境下的可靠数据处理能力。

H9TA4GH2GDMCPR-4GM