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IRF8910TRPBF 发布时间 时间:2025/5/19 14:14:01 查看 阅读:5

IRF8910TRPBF 是一款 N 沣道艹通道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263-2 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等高电流应用场合。
  该 MOSFET 的设计优化了导通电阻和开关性能,能够提供高效的功率转换和较低的功耗。其坚固耐用的结构使其适合在恶劣环境下工作。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(典型值):4.5Ω
  栅极电荷(典型值):40nC
  总电容(输入电容):260pF
  功耗:27W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF8910TRPBF 具有较高的漏源电压耐受能力,适用于高压电路环境。
  其低导通电阻有助于减少传导损耗,从而提高系统效率。
  该器件的快速开关特性减少了开关损耗,适合高频应用。
  同时,它具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  此外,TO-263-2 封装形式提供了良好的散热性能,便于安装和使用。

应用

IRF8910TRPBF 主要用于需要高压、大电流处理能力的场合,包括但不限于以下领域:
  开关模式电源(SMPS)
  DC-DC 转换器
  电机控制与驱动
  负载切换
  逆变器
  工业自动化设备
  家用电器中的功率管理模块

替代型号

IRF8910,
  STP50NF06,
  BUK9N10-55E,
  FDP057N50,
  IXTH50N50L

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IRF8910TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.4 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds960pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF8910PBFTRIRF8910TRPBF-NDIRF8910TRPBFTR-ND