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IRF8736PBF 发布时间 时间:2025/4/29 17:28:02 查看 阅读:22

IRF8736PBF是来自Vishay International公司的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。它能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
  IRF8736PBF的最大漏源电压为60V,连续漏极电流可达42A(在特定条件下),适用于需要高电流承载能力的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:49nC
  输入电容:2350pF
  总热阻(结到环境):45°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-220AC

特性

IRF8736PBF具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,仅为1.5mΩ,有助于减少功率损耗,提升效率。
  2. 高额定电流能力(42A),适用于大电流应用场景。
  3. 快速开关性能,适合高频开关电源和DC-DC转换器。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行(-55°C至175°C)。
  5. 封装形式为标准的TO-220AC,易于安装和散热设计。
  6. 符合RoHS环保标准,满足现代电子产品的绿色设计要求。

应用

IRF8736PBF广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 工业和消费类电机驱动控制。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)。
  6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF8736TRPBF, IRF8736LPBF

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IRF8736PBF产品

IRF8736PBF参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2315pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件