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IRF8707GTRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 11:03:06 查看 阅读:9

IRF8707GTRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理应用,包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该器件采用TO-263-3 (D2PAK)封装形式,具备出色的散热性能和较高的电流承载能力。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:49A
  最大栅极源极电压:±20V
  导通电阻(典型值):9.5mΩ
  总功耗:225W
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263-3 (D2PAK)
  封装类型:无铅

特性

IRF8707GTRPBF具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  4. 具备良好的热性能,有助于提升器件的可靠性和寿命。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 封装设计紧凑,便于安装和集成到各种电路板中。
  这些特性使得IRF8707GTRPBF成为许多高性能电源管理系统中的理想选择。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用作主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器:实现高效的电压转换。
  3. 电机驱动:用于控制直流或无刷直流电机。
  4. 负载开关:快速切换不同负载状态。
  5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
  6. 汽车电子:例如电池管理系统、启动电机控制等。
  凭借其卓越的电气特性和可靠性,IRF8707GTRPBF在众多电力电子应用中表现出色。

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IRF8707GTRPBF, IRL8707GTRPBF

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IRF8707GTRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.9 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF8707GTRPBFTR