IRF8707GTRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理应用,包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
该器件采用TO-263-3 (D2PAK)封装形式,具备出色的散热性能和较高的电流承载能力。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:49A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻(典型值):9.5mΩ
总功耗:225W
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263-3 (D2PAK)
封装类型:无铅
IRF8707GTRPBF具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
3. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
4. 具备良好的热性能,有助于提升器件的可靠性和寿命。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
6. 封装设计紧凑,便于安装和集成到各种电路板中。
这些特性使得IRF8707GTRPBF成为许多高性能电源管理系统中的理想选择。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用作主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器:实现高效的电压转换。
3. 电机驱动:用于控制直流或无刷直流电机。
4. 负载开关:快速切换不同负载状态。
5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
6. 汽车电子:例如电池管理系统、启动电机控制等。
凭借其卓越的电气特性和可靠性,IRF8707GTRPBF在众多电力电子应用中表现出色。
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