类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID) @25℃：40A
　　驱动电压（典型值）：10V
　　导通电阻RDS(on)@10V：6.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)@4.5V：9.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：24nC
　　输入电容(Ciss)：1020pF
　　开启延迟时间(td(on))：9ns
　　关断延迟时间(td(off))：21ns
　　上升时间(tr)：27ns
　　下降时间(tf)：19ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装/外壳：DirectFET S3

IRF8707的核心优势在于其采用了英飞凌先进的TrenchFET制造工艺，这一技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容，从而实现了卓越的导通和开关性能。在实际应用中，该MOSFET在10V驱动电压下的RDS(on)仅为6.5mΩ，在4.5V条件下也能维持在9.5mΩ以下，这使得它在大电流输出场景下能有效减少功率损耗，提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg = 24nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于降低控制器的驱动负担，并进一步减少动态损耗。
　　该器件的电容特性经过精心设计，输入电容（Ciss）为1020pF，反向传输电容（Crss）较小，有助于抑制米勒效应，提高开关稳定性，尤其在高频同步整流应用中表现出色。此外，快速的开关时间——包括9ns的开启延迟、21ns的关断延迟、27ns的上升时间和19ns的下降时间——使其非常适合用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器中，支持快速瞬态响应和高效能量传递。
　　IRF8707采用DirectFET S3封装，这是一种顶部冷却的无引线封装技术，允许热量从封装顶部直接传导至散热器或PCB铜层，极大提升了热性能。相比传统底部散热的SO-8封装，DirectFET在相同尺寸下可实现更高的电流承载能力和更好的热阻表现。该封装还减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，增强EMI性能。此外，其紧凑的外形尺寸非常适合高密度布局，满足现代电子设备对小型化和轻薄化的需求。
　　在可靠性方面，IRF8707具备出色的抗雪崩能力，能够在短时过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保在极端环境温度下依然稳定运行。所有这些特性共同使IRF8707成为高端电源管理系统中不可或缺的关键元件。

IRF8707主要用于高性能电源管理系统，尤其是在需要高效率、高功率密度和良好热管理的场合。典型应用包括服务器主板上的VRM（电压调节模块），用于为核心处理器提供精确且稳定的供电；在通信基础设施设备如基站和路由器中，作为DC-DC降压转换器的同步整流开关，提升电源转换效率；在笔记本电脑和移动工作站中，用于电池供电系统的电源管理单元，延长续航时间。
　　此外，该器件也适用于工业电源、FPGA和ASIC供电、POL（Point-of-Load）转换器以及各类高电流负载点转换器设计。由于其优异的开关速度和低导通电阻，IRF8707特别适合用于多相交错并联的同步降压拓扑结构中，能够有效分担电流应力，提高系统整体效率和可靠性。在汽车电子领域，尽管其额定电压为30V，不适用于主驱系统，但在车载信息娱乐系统或辅助电源模块中也有潜在应用价值。总之，凡是要求低损耗、高频率切换和紧凑布局的电源设计，IRF8707都是一个极具竞争力的选择。

IRLHS8707,IRLR8707,FDMS8707