时间：2025/5/7 23:28:58
阅读：8
IRF8113TRPBF是来自Infineon（英飞凌）的N沟道增强型MOSFET，采用PQFN封装形式。该器件设计用于高效率、高频开关应用场合，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：5.2mΩ
栅极电荷（典型值）：7nC
输入电容：920pF
开关频率：高达数MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：PQFN5x6-8L
IRF8113TRPBF具备以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频工作环境，适合现代高效能电源转换需求。
3. 小尺寸PQFN封装，有助于节省PCB空间并提升功率密度。
4. 高额定电流能力，能够承受较大负载条件下的运行。
5. 较宽的工作温度范围，适用于各种工业和汽车环境。
IRF8113TRPBF适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 负载开关与电池保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的各种功率转换应用。
IRF8104PBF, IRF8105PBF, BSC013N06NS5
