时间：2025/5/12 10:41:37
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IRF7904UTRPBF 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263 封装，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其低导通电阻和高击穿电压特性使其非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
该 MOSFET 的典型特点是具有较低的栅极电荷和输出电容，这有助于提高开关速度并降低开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：51A
导通电阻：1.8mΩ
栅源电压：±20V
功耗：175W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF7904UTRPBF 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动下仅为 1.8mΩ，从而减少了导通损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 51A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种恶劣环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 稳定性高，可靠性强，适合工业和汽车级应用。
IRF7904UTRPBF 广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动器中的功率级开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各类工业设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的高功率控制组件。
IRF7904PbF, IRF7904TRPBF
