PQ1R23 时间：2025/8/28 6:00:10 阅读：29

PQ1R23 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理和开关应用。该器件采用小型 TSMT4 封装，具备良好的热稳定性和高频开关性能，广泛应用于消费类电子产品、便携设备和工业控制系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：2.3A
　　功耗(Pd)：150mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSMT4

特性

PQ1R23 是一款性能优异的 MOSFET 器件，具备低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特性。
　　首先，PQ1R23 的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下能够以最小的电压降传输电流，从而降低了功耗并提高了能效。这种特性使其非常适合用于电池供电设备和需要高效率的电源管理应用。
　　其次，该器件具有快速的开关响应时间，能够在高频条件下稳定工作。这使得 PQ1R23 在 DC-DC 转换器、负载开关和 PWM 控制等应用中表现出色，有助于提升系统整体的响应速度和效率。
　　此外，PQ1R23 采用小型 TSMT4 封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适合在空间受限的便携设备中使用。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）保证了在各种环境条件下都能稳定运行。
　　该器件还具有较高的耐用性和可靠性，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，适合用于对稳定性要求较高的工业控制系统和消费类电子产品中。

应用

PQ1R23 主要用于以下应用场景：
　　首先，PQ1R23 广泛应用于电源管理系统中，如便携设备的电池管理电路、DC-DC 转换器和稳压器等。由于其低导通电阻和高频开关特性，能够有效提升电源转换效率并减小电路尺寸。
　　其次，该器件常用于负载开关和电机控制电路中，能够实现对负载的高效控制和快速响应。适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及小型家电等产品中的电源管理模块。
　　此外，PQ1R23 也适用于信号切换和逻辑控制电路，在数字电路中作为开关元件使用，能够实现高速信号切换和低功耗运行。
　　最后，由于其良好的热稳定性和可靠性，PQ1R23 也被广泛用于工业控制设备、传感器模块和小型电机驱动电路中。