IRF7902TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点。其封装形式为TO-263-3(D2PAK),适用于各种需要高效能和低损耗的应用场景,例如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块以及消费类电子设备中的负载切换等。
IRF7902TRPBF的主要特点是其较低的导通电阻Rds(on),在Vgs=10V时典型值为1.4mΩ。这使得它非常适合用于大电流应用中以减少传导损耗。同时,该器件还具有较高的雪崩击穿能力,能够承受瞬态电压尖峰而不损坏。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:78A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(@ Vgs = 10V)
栅极电荷:100nC
总电容:2300pF
输入电容:2000pF
输出电容:1300pF
反向传输电容:100pF
功耗:150W
工作结温范围:-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流处理能力,支持高达78A的连续漏极电流,适合高功率应用。
3. 快速开关特性,优化了动态性能,减少了开关损耗。
4. 良好的热稳定性,可确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准,采用环保材料制造。
6. 高雪崩击穿能力和坚固耐用的设计,提高了可靠性和抗浪涌能力。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 各种DC-DC转换器拓扑结构中的功率级开关。
3. 电动工具、家用电器和其他便携式设备中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统的负载切换和保护功能。
5. 通信设备中的电源管理和信号调节。
6. 工业自动化控制领域中的高性能功率转换解决方案。
IRF7902PBF, IRF7901TRPBF