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IRF7902TRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 12:52:11 查看 阅读:11

IRF7902TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点。其封装形式为TO-263-3(D2PAK),适用于各种需要高效能和低损耗的应用场景,例如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块以及消费类电子设备中的负载切换等。
  IRF7902TRPBF的主要特点是其较低的导通电阻Rds(on),在Vgs=10V时典型值为1.4mΩ。这使得它非常适合用于大电流应用中以减少传导损耗。同时,该器件还具有较高的雪崩击穿能力,能够承受瞬态电压尖峰而不损坏。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:78A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(@ Vgs = 10V)
  栅极电荷:100nC
  总电容:2300pF
  输入电容:2000pF
  输出电容:1300pF
  反向传输电容:100pF
  功耗:150W
  工作结温范围:-55°C至+175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流处理能力,支持高达78A的连续漏极电流,适合高功率应用。
  3. 快速开关特性,优化了动态性能,减少了开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,可确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,采用环保材料制造。
  6. 高雪崩击穿能力和坚固耐用的设计,提高了可靠性和抗浪涌能力。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 各种DC-DC转换器拓扑结构中的功率级开关。
  3. 电动工具、家用电器和其他便携式设备中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统的负载切换和保护功能。
  5. 通信设备中的电源管理和信号调节。
  6. 工业自动化控制领域中的高性能功率转换解决方案。

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IRF7902PBF, IRF7901TRPBF

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IRF7902TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.4A,9.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22.6 毫欧 @ 6.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds580pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W,2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7902TRPBF-NDIRF7902TRPBFTR