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IRF7901D1TRPBF 发布时间 时间:2025/7/3 17:18:59 查看 阅读:17

IRF7901D1TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于高效率、高频开关应用。其封装形式为TO-Leadless(TOLL),有助于提高散热性能和简化PCB设计。这款MOSFET广泛应用于电源管理领域,例如DC-DC转换器、电机驱动以及电信和工业设备中的功率转换电路。
  该器件的特点在于优化了动态和静态特性,能够在高频工作条件下提供出色的能效表现,同时具备较高的雪崩能力和抗静电能力(ESD),增强了系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:234A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:69nC
  总电容:1580pF
  功耗:24W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRF7901D1TRPBF是一款高性能的MOSFET,其主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅1.5mΩ,能够显著降低传导损耗。
  2. 高电流处理能力,额定漏极电流高达234A,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,得益于其较小的栅极电荷(Qg=69nC),适合高频开关应用。
  4. TOLL封装提高了散热效率,并且去除了传统引脚设计,减少了寄生电感的影响。
  5. 具有良好的热稳定性和电气稳定性,在极端温度环境下依然可以保持可靠的运行。
  6. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力,确保更高的系统鲁棒性。
  7. 支持高温操作,最高结温可达175°C,适应恶劣的工作环境。

应用

IRF7901D1TRPBF由于其高性能特点,广泛应用于以下领域:
  1. 工业和消费类产品的DC-DC转换器。
  2. 大功率电机驱动电路。
  3. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
  5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力总成系统。
  6. 可再生能源发电设备,如太阳能逆变器和风力发电机控制模块。
  7. 电信基础设施设备中的高效功率转换解决方案。

替代型号

IRF7901D1TRPBF,
  IRMTH7901DPBF,
  IRFH7901D1TRPBF

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IRF7901D1TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列FETKY™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C38 毫欧 @ 5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 16V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7901D1PBFTRIRF7901D1TRPBF-NDIRF7901D1TRPBFTR-NDQ2189627