您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7862TRPBF

IRF7862TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 20:47:55 查看 阅读:6

IRF7862TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,广泛应用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。该MOSFET适合在高频条件下工作,并具备出色的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:135A
  导通电阻:1.4mΩ
  总栅极电荷:95nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRF7862TRPBF具有极低的导通电阻,仅为1.4mΩ,这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗。
  此外,其封装设计优化了散热性能,非常适合需要高可靠性和高效能的应用场合。
  由于其高电流承载能力(135A),该MOSFET适用于工业级负载切换、电动车辆牵引逆变器以及其他要求严苛的电力电子系统。
  同时,它的快速开关特性和低栅极电荷进一步提升了效率,尤其在高频开关应用中表现优异。
  另外,该器件支持高达175℃的工作温度范围,确保在极端环境下仍能保持稳定运行。

应用

该MOSFET广泛应用于汽车和工业领域中的多种场景,包括但不限于电动汽车牵引逆变器、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各类电机驱动电路。
  其卓越的电气性能和热管理能力使其成为高性能电力电子设备的理想选择。

替代型号

IRFH7862TRPbF

IRF7862TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7862TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7862TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4090pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7862TRPBFTR