类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：120A
　　最大漏源电压：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
　　栅极电压范围：±20V
　　功率耗散：160W
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

S24DE120R6 的核心特性之一是其极低的导通电阻，仅为 3.5mΩ，这使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗并提高效率。此外，该器件的最大漏极电流可达 120A，漏源电压最大为 30V，使其适用于高功率密度设计。其栅极电压范围为 ±20V，具有较强的抗过压能力，有助于防止栅极击穿。该 MOSFET 还具有良好的热性能，采用 PowerFLAT 5x6 封装，能够有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　另一个重要特性是其封装形式。PowerFLAT 5x6 是一种无引脚表面贴装封装，具有较小的封装尺寸和优异的热管理能力，适用于空间受限且要求高效散热的设计。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有良好的环境适应性，适用于工业和汽车电子等严苛应用环境。
　　S24DE120R6 还具备快速开关能力，减少开关损耗，从而进一步提升系统效率。其设计优化了开关特性和导通损耗，适用于高频开关电源系统，如同步整流器、DC-DC 转换器和电池管理系统。

S24DE120R6 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、负载开关以及各种工业和汽车电子设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和高功率密度的设计。例如，在同步整流电路中，它可以显著降低导通损耗，提高整体效率；在电池管理系统中，它可用于控制充放电路径，提高系统的稳定性和安全性；在电机驱动应用中，它可作为主开关器件，实现高效的电机控制。
　　此外，该 MOSFET 也适用于高功率 LED 驱动器、电源分配系统和服务器电源等应用。其 PowerFLAT 封装形式使其适用于自动化贴片工艺，适合大批量生产，广泛应用于消费类电子、工业自动化和汽车电子等领域。

IRF1404, Si4410DY, FDP6670, IPD65R1K0CFD