IRF7836 时间：2025/6/9 11:21:42 阅读：27

IRF7836是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Vishay公司生产。这款器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适用于消费电子、工业控制以及电源管理等应用领域。
　　IRF7836的设计使其能够在高频开关条件下提供高效的功率转换，并且其出色的电气特性使其成为许多功率管理设计的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅极源极电压：±20V
　　最大漏极电流：43A
　　导通电阻：1.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：115W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

IRF7836具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够显著减少功率损耗。
　　2. 高电流承载能力，适用于高功率应用场景。
　　3. 快速开关速度，适合高频电路。
　　4. 采用DPAK（TO-252）封装，具备良好的散热性能。
　　5. 工作温度范围宽广，适应各种环境条件。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
　　这些特性使得IRF7836在开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率转换应用中表现出色。

应用

IRF7836广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 电池管理系统中的充放电控制。
　　由于其低导通电阻和高电流处理能力，IRF7836非常适合需要高效功率转换和低热量产生的应用。