IRF7836是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。这款器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其采用TO-252封装形式,具有较低的导通电阻和良好的热性能,适用于消费电子、工业控制以及电源管理等应用领域。
IRF7836的设计使其能够在高频开关条件下提供高效的功率转换,并且其出色的电气特性使其成为许多功率管理设计的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅极源极电压:±20V
最大漏极电流:43A
导通电阻:1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:115W
工作温度范围:-55°C至175°C
IRF7836具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够显著减少功率损耗。
2. 高电流承载能力,适用于高功率应用场景。
3. 快速开关速度,适合高频电路。
4. 采用DPAK(TO-252)封装,具备良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广,适应各种环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
这些特性使得IRF7836在开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率转换应用中表现出色。
IRF7836广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
由于其低导通电阻和高电流处理能力,IRF7836非常适合需要高效功率转换和低热量产生的应用。
IRF7832, IRF7834, IRF7837