晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装形式：SOT-23（SC-59）
　　内部电阻：R1=10kΩ，R2=10kΩ

LDTA115EWT1G具备多个显著特性，适用于多种电子电路设计场景。
　　首先，该晶体管的内置基极电阻设计（R1和R2）极大地简化了外围电路，使得其可以直接与逻辑门电路连接，无需额外的偏置电阻，提高了设计的灵活性和可靠性。
　　其次，其具有较高的电流增益（hFE）范围，从110到800不等，允许用户根据具体需求选择合适的型号等级，从而优化放大和开关性能。
　　此外，LDTA115EWT1G的最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，适合中等电压和低电流的开关及放大应用，如数字逻辑电路、LED驱动、继电器控制、音频放大器前级等。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在各种环境条件下均能稳定运行，具备良好的环境适应性。
　　最后，SOT-23封装体积小，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和散热性能。

LDTA115EWT1G主要应用于以下领域：
　　在消费类电子产品中，常用于LED驱动、按钮控制、小型风扇或继电器的开关控制电路；
　　在工业自动化系统中，可用于传感器信号放大、继电器驱动、电机控制等；
　　在通信设备中，该晶体管可作为信号放大器或逻辑电平转换器件；
　　在汽车电子中，适用于仪表盘指示灯控制、车载音频放大器、车载充电器等低功耗控制电路；
　　在计算机及其外设中，常用于接口电路、电源管理、风扇控制等应用场景。
　　由于其内置电阻设计，LDTA115EWT1G特别适合用于与微控制器或数字IC直接连接，作为开关晶体管使用，从而减少PCB板上元件数量，提高系统稳定性。

MMBT3904LT1G, FMMT209, BC817-25