IRF7835UTR 时间：2025/5/13 17:20:27 阅读：2

IRF7835UTR是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Vishay公司生产。该器件采用了PowerTrench技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等场景。此外，IRF7835UTR还具备出色的热性能和耐用性，使其能够在各种严苛的环境中稳定运行。
　　该器件采用TO-263封装形式，这种封装能够有效提升散热性能，并且易于安装在印刷电路板上。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：118A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
　　栅极电荷：49nC
　　输入电容：4850pF
　　总功耗：144W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

IRF7835UTR的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。
　　同时，该器件的高电流处理能力和快速开关速度也为其在高频应用中提供了优异表现。
　　由于采用了PowerTrench技术，IRF7835UTR在相同封装尺寸下能够提供更低的导通电阻和更高的电流密度，从而优化了热性能和电气性能。
　　此外，该器件还具有较低的栅极电荷，这意味着它可以与驱动能力较弱的控制器配合使用，进一步拓宽了其适用范围。

应用

IRF7835UTR广泛应用于需要高效功率转换和驱动的场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电机驱动
　　4. 工业自动化设备
　　5. 通信电源
　　6. 汽车电子系统
　　7. 太阳能逆变器
　　其低导通电阻和高电流处理能力特别适合于需要高效率和高功率密度的设计。