时间：2025/4/28 20:20:21
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IRF7835TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Vishay公司生产。该器件采用TrenchFET? Gen II技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于高频开关应用以及功率转换电路。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），适合表面贴装工艺。
IRF7835TRPBF广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理等领域。由于其优异的性能参数，这款MOSFET在消费电子、工业控制及汽车电子领域都有较多应用。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：92A
最大栅极源极电压：±20V
典型导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ @ Vgs=10V
总功耗：140W
工作结温范围：-55°C to 175°C
封装类型：TO-263-3 (D2PAK)
IRF7835TRPBF采用了先进的TrenchFET? Gen II技术，使得其具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了功率损耗并提高了效率。此外，它还具有快速开关速度，能够支持高频应用，同时保持较低的开关损耗。
该器件的漏源电压为40V，非常适合低压应用场合，例如电池供电设备或汽车电子系统中的负载切换。
其高达92A的连续漏极电流能力，确保了在高电流条件下仍能稳定运行。同时，IRF7835TRPBF的工作温度范围较宽，从-55°C到175°C，适应多种环境条件下的使用需求。
此外，IRF7835TRPBF的TO-263-3封装具有良好的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性。
IRF7835TRPBF主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 电机驱动
4. 汽车电子中的负载切换
5. 工业自动化控制
6. 通信设备中的功率管理
7. 笔记本电脑及平板电脑适配器
8. 太阳能逆变器中的功率调节模块
IRF7836TRPBF, IRF7837TRPBF, FDP5500
