型号：IRF7835
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-13A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：-40A
　　导通电阻(RDS(on))：-9.5mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：-11mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：-13mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：1350pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-TSDSON-8 (LFPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　通道数：单通道

IRF7835采用英飞凌先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的权衡，从而实现了卓越的开关性能和导通效率。该器件在-10V栅极驱动下的典型RDS(on)仅为9.5mΩ，在-4.5V下为11mΩ，即使在低至-2.5V的逻辑电平下仍能保持较低的导通电阻，使其非常适合用于由低压微控制器直接驱动的电源系统。这种低阈值电压和优异的跨导特性确保了快速的开关响应和最小的开关损耗。
　　该MOSFET的PG-TSDSON-8封装具有极低的热阻（Rth(j-c)约为25K/W），可有效将热量从芯片传递到PCB，提升功率密度并减少对额外散热措施的需求。其无引线封装结构不仅减小了寄生电感，还提高了高频开关下的稳定性，适用于高频率DC-DC变换器拓扑如同步降压或反相电源设计。
　　IRF7835内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约28ns），有助于减少续流过程中的能量损耗和电磁干扰。该器件还具备优良的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。其栅极氧化层经过优化设计，能够承受±20V的栅源电压，防止因电压瞬变导致的损坏。
　　此外，IRF7835支持宽温度范围工作（-55°C至+150°C），适用于严苛的工业和汽车级应用环境。器件符合AEC-Q101汽车级认证要求，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求极高的场合。生产过程中采用无铅焊接工艺和绿色环保材料，满足现代电子产品对环保法规的严格要求。

IRF7835广泛应用于需要高效、紧凑型P沟道MOSFET的各种电源管理系统中。典型应用场景包括低压同步降压转换器的高端或低端开关，尤其适合作为负载开关用于控制电源轨的通断，例如在多电压域系统中实现不同功能模块的上电时序管理。由于其低RDS(on)和良好的热性能，该器件常被用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源管理单元，用于实现电池充放电控制、备用电源切换等功能。
　　在工业控制系统中，IRF7835可用于继电器驱动、电机控制电路中的H桥配置，以及PLC模块中的数字输出通道。其快速开关能力和高电流承载能力使其成为热插拔控制器的理想选择，可在不断电的情况下安全插入或移除电路板，避免产生电弧或电压跌落。
　　此外，该器件也适用于电信设备中的分布式电源架构，作为中间总线转换器或点负载调节器的一部分。在汽车电子领域，IRF7835可用于车灯控制、传感器电源开关、电动座椅和车窗升降器的驱动电路中。其高可靠性和宽温区适应能力使其能在发动机舱附近等高温环境中稳定运行。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、路由器、机顶盒等，IRF7835可用于主控芯片外围的电源开关，以降低待机功耗并提高能效。总体而言，任何需要低电压驱动、高效率、小尺寸封装的P沟道功率开关的应用，都是IRF7835的理想用武之地。

IPD9306N,IRF7853,SI7853DP