时间：2025/6/24 15:56:03
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IRF7831TR 是一款 N 沣道沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay International 公司生产。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用。它广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：52A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：300pF
功耗：20W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IRF7831TR 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这使其在高电流应用中效率更高，并减少了功率损耗。
该器件还具备快速开关性能，能够显著降低开关损耗，适合高频应用环境。
Trench 技术的应用进一步优化了其热性能和电气性能，提高了整体可靠性。
由于采用了 TO-220 封装形式，该元件易于安装并提供良好的散热能力。
IRF7831TR 主要应用于各种功率转换系统中，包括但不限于：
1. 降压和升压 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源（SMPS）
3. 电池充电电路
4. 电机控制和驱动
5. 工业自动化中的负载切换
6. 通信设备中的高效功率管理模块
其出色的电气特性和封装设计使这款 MOSFET 成为需要高性能和高可靠性的应用的理想选择。
IRF7832N, IRF7833TR, IRF7834TR
