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IS43TR85120BL-107MBL 发布时间 时间:2025/12/28 18:29:50 查看 阅读:33

IS43TR85120BL-107MBL 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点,适用于各种嵌入式系统和工业控制应用。

参数

容量:512K x 8位(4Mbit)
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns(最大)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:54引脚TSOP
  封装尺寸:54-TSOP
  数据保持电压:1.5V(最小)
  待机电流:10mA(最大)
  读取电流:120mA(典型值)
  时钟频率:无内置时钟(异步SRAM)

特性

IS43TR85120BL-107MBL 是一款异步SRAM芯片,具备高速访问能力和低功耗设计,适用于对实时性要求较高的应用场景。
  该器件的访问时间为10ns,能够满足高速数据处理的需求,同时其工作电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电压适应性,可以在不同电源条件下稳定工作。
  此外,该SRAM在-40°C至+85°C的工业级温度范围内运行,适合在各种严苛环境中使用,如工业控制、通信设备和自动化系统等。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,封装尺寸较小,便于集成在高密度PCB设计中。在待机模式下,电流消耗仅为10mA,有助于降低系统功耗并延长电池寿命。
  IS43TR85120BL-107MBL 的数据保持电压最低为1.5V,在系统断电或低电压状态下仍能保持数据不丢失,适用于需要数据保留功能的应用场景,如数据缓存和临时存储。
  该SRAM芯片广泛应用于工业控制、网络设备、通信模块、嵌入式系统以及便携式电子产品等领域。

应用

IS43TR85120BL-107MBL 常用于工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、网络设备、便携式电子产品、数据采集系统以及需要高速存储和低功耗操作的场景中。其高可靠性和宽温工作范围使其特别适用于需要长时间稳定运行的工业和通信应用。

替代型号

IS42S16800B-107TLB, IS43S16800B-107TLB, CY62148EVLL-10ZSXI, CY7C1041CV33-10ZSXI

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IS43TR85120BL-107MBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)