IRF7823是一款由Vishay公司生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它设计用于要求高效率和低导通损耗的应用场合,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种功率管理电路。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
IRF7823采用PowerPAK SO-8封装形式,能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计结构,使其非常适合于空间受限的应用环境。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:26A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷:46nC
输入电容:1790pF
总功耗:38W
工作温度范围:-55°C至+175°C
IRF7823具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. 逻辑电平驱动兼容性,使得其能够直接与常见的数字逻辑电路接口,无需额外的驱动电路。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,提升高频应用中的表现。
4. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
5. 强大的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
IRF7823广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 各类电机驱动和控制电路。
3. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
4. 电池管理系统(BMS),特别是电动车和储能设备中。
5. 通信基础设施中的功率转换模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理方案。
7. 工业自动化设备中的功率控制部分。
IRF7822, IRF7821, IRF7820