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IRF7815TRPBF 发布时间 时间:2025/6/5 10:45:20 查看 阅读:10

IRF7815TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 ThinPAK-8 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于高效率、高频率的电源管理和电机驱动应用。
  其主要特点包括低栅极电荷、低导通电阻以及出色的热性能,这些特性使其成为便携式设备、DC-DC 转换器和负载开关的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:4.8nC(典型值)
  总电容:160pF(典型值)
  功耗:13W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7815TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,确保高效能表现并减少功率损耗。
  2. 快速开关速度,得益于低栅极电荷设计,非常适合高频应用。
  3. 高电流处理能力,可承受高达 26A 的连续漏极电流。
  4. 良好的热稳定性,支持长时间高温环境下的稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅封装。
  6. 支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的 DC-DC 转换器。
  2. 开关模式电源(SMPS)及负载开关。
  3. 各类电机驱动电路。
  4. 电池保护和管理系统。
  5. 通信设备中的信号切换与功率管理。
  6. 工业控制中的功率转换模块。

替代型号

IRF7813TRPBF, IRF7814TRPBF

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IRF7815TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C43 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1647pF @ 75V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7815TRPBFTR