时间：2025/4/29 11:00:35
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IRF7811AUTRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Vishay公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压实现可靠的导通性能，非常适合低电压应用场合。其封装形式为TO-263-3（DPAK），具备出色的散热特性和紧凑的尺寸。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗：115W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRF7811AUTRPBF具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著降低导通损耗和开关损耗。此外，其逻辑电平驱动设计允许直接与微控制器或其他低电压信号源连接，简化了电路设计。
该器件还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。由于其采用了DPAK封装，因此具有较强的散热能力和较高的电流承载能力。
IRF7811AUTRPBF广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于直流电机驱动、开关电源（SMPS）、负载切换、逆变器、电池管理系统（BMS）以及LED驱动等场景。其低导通电阻和高电流处理能力使其特别适合需要高效能和高性能的应用环境。
IRF7812, IRF7813, IRF7814
