时间：2025/6/29 12:40:09
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IRF7751GTR 是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装。该器件专为高效率、高性能的开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。其主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该器件由Vishay公司生产，属于IRF系列功率MOSFET，广泛用于各种工业和消费类电子产品中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：87A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
总电容（输入电容）：2800pF
功耗：220W
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRF7751GTR具备出色的电气性能，主要包括以下几点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够在大电流条件下显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用，可有效减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持高达87A的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。
4. 良好的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子制造工艺要求。
6. 具有较高的雪崩击穿能量，增强了在异常情况下的鲁棒性。
IRF7751GTR广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 各种DC-DC转换器，如降压或升压转换器。
3. 电机驱动电路，包括无刷直流电机(BLDC)驱动。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. 大功率LED驱动电路中的开关元件。
7. 电池管理系统中的保护和放电控制电路。
IRF7751,
IRF7751PBF,
STP80NF06,
FDP8870,
IXFK80N06T2
